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无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  崔利杰;  曾一平;  王保强;  朱战平
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提高半导体光电转换器件性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李建明;  种明;  杨丽卿;  徐嘉东;  胡传贤;  段晓峰;  高旻;  朱建成;  王凤莲
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一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-04-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张子旸;  王占国;  徐波;  金鹏;  刘峰奇
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制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  陈涌海;  朱勤生;  王占国
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半导体光电子器件和混合楔型波导模斑转换器集成器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  邱伟彬;  王圩
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一种制作白光发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈振;  韩培德;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  朱勤生;  王占国
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同一源区半导体光放大器、电吸收调制器集成器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  邱伟彬;  王圩
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偏振不灵敏半导体光放大器、电吸收调制器两用器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-01-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  邱伟彬;  王圩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao Q;  Li JC;  Zhou H;  Wang H;  Wang B;  Yan H;  Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ai B;  Shen H;  Ban Q;  Wang XJ;  Liang ZC;  Liao XB;  Ai, B, Chinese Acad Sci, Solar Energy Lab, Guangzhou Inst Energy Convers, Guangzhou 510640, Peoples R China. 电子邮箱地址: aibin@ms.giec.ac.cn
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