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| 无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 崔利杰; 曾一平; 王保强; 朱战平 Adobe PDF(342Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1427/180  |  提交时间:2009/06/11 |
| 提高半导体光电转换器件性能的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李建明; 种明; 杨丽卿; 徐嘉东; 胡传贤; 段晓峰; 高旻; 朱建成; 王凤莲 Adobe PDF(337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1294/182  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-04-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张子旸; 王占国; 徐波; 金鹏; 刘峰奇 Adobe PDF(386Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1205/159  |  提交时间:2009/06/11 |
| 制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张志成; 杨少延; 黎大兵; 陈涌海; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(350Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1168/180  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体光电子器件和混合楔型波导模斑转换器集成器件 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 邱伟彬; 王圩 Adobe PDF(510Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1952/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制作白光发光二极管的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈振; 韩培德; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(528Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1341/194  |  提交时间:2009/06/11 |
| 同一源区半导体光放大器、电吸收调制器集成器件 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 邱伟彬; 王圩 Adobe PDF(492Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1221/149  |  提交时间:2009/06/11 |
| 偏振不灵敏半导体光放大器、电吸收调制器两用器件 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-01-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 邱伟彬; 王圩 Adobe PDF(449Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1084/139  |  提交时间:2009/06/11 |