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| Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910236706.7, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 冉军学; 王晓亮; 李建平; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 杨翠柏; 李晋闽 Adobe PDF(328Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1660/301  |  提交时间:2011/08/31 |
| p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810240351.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张小宾; 王晓亮; 肖红领; 杨翠柏; 冉军学; 王翠梅; 李晋闽 Adobe PDF(624Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1725/313  |  提交时间:2011/08/31 |
| 在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010128376.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 魏萌; 王晓亮; 潘旭; 李建平; 刘宏新; 王翠梅; 肖红领 Adobe PDF(264Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1622/265  |  提交时间:2011/08/31 |
| 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810226288.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王晓亮; 张明兰; 肖红领; 王翠梅; 唐健; 冯春; 姜丽娟 Adobe PDF(404Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1639/283  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓基高电子迁移率晶体管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102427084A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 王晓亮; 毕杨; 王翠梅; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 陈竑 Adobe PDF(570Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2176/447  |  提交时间:2012/08/29 |