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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu WG;  Wang Z;  Su BF;  Dai YQ;  Wang SJ;  Zhao YW;  Wang, Z, Wuhan Univ, Dept Phys, Wuhan 430072, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangz@whu.edu.cn
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Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Chen Z;  Chua SJ;  Yuan HR;  Liu XL;  Lu DC;  Han PD;  Wang ZG;  Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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Metalorganic Chemical Vapor Deposition  Semiconducting Iii-v Materials  Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures  Carrier Confinement  Effect Transistors  Photoluminescence  Mobility  Heterojunction  Interface  Hfets  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han XX;  Chen Z;  Li DB;  Wu JJ;  Li JM;  Sun XH;  Liu XL;  Han PD;  Wang XH;  Zhu QS;  Wang ZG;  Han, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xxhan@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu, WG;  Wang, Z;  Dai, YQ;  Wang, SJ;  Zhao, YW;  Hu, WG, Wuhan Univ, Dept Phys, Wuhan 430072, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangz@whu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen, Z;  Chua, SJ;  Yuan, HR;  Liu, XL;  Lu, DC;  Han, PD;  Wang, ZG;  Chen, Z, Singapore MIT Alliance, AMMNS, E4-04-10,NUS,4 Engn Dr,3, Singapore 117576, Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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Defects in GaSb studied by coincidence Doppler broadening measurements 会议论文
POSITRON ANNIHILATION, ICPA-13, PROCEEDINGS, 445-6, Kyoto, JAPAN, SEP 07-12, 2003
作者:  Hu WG;  Wang Z;  Dai YQ;  Wang SJ;  Zhao YW;  Hu WG Wuhan Univ Dept Phys Wuhan 430072 Peoples R China. 电子邮箱地址: wangz@whu.edu.cn
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Coincidence Doppler Broadening  Defects  Gasb  Positron Annihilation