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高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-16, 公开日期: 4007
发明人:  杨 涛;  季海铭 
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ji HM;  Cao YL;  Yang T;  Ma WQ;  Cao Q;  Chen LH;  Ji HM Chinese Acad Sci Inst Semicond Nanooptoelect Lab Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tyang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  季海铭;  曹玉莲;  杨涛;  马文全;  曹青;  陈良惠
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