Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 | |
| 闫发旺; 高海永; 樊中朝; 李晋闽; 曾一平; 王国宏; 张会肖; 王军喜; 张扬 | |
| 2009-02-25 | |
| 公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 |
| 专利类型 | 发明 |
| 申请日期 | 2007-08-22 |
| 语种 | 中文 |
| 申请号 | CN200710120612.4 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4309 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 闫发旺,高海永,樊中朝,等. 用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法[P]. 2009-02-25. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN200710120612.4.pdf（556KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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