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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jin, DD; Wang, LS; Yang, SY; Zhang, LW; Li, HJ; Zhang, H; Wang, JX; Xiang, RF; Wei, HY; Jiao, CM; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Peng HW; Xiang HJ; Wei SH; Li SS; Xia JB; Li JB ; Peng HW Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: Suhuai_Wei@nrel.gov; jbli@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xiang HJ; Wei SH; Da Silva JLF; Li JB; Xiang HJ Natl Renewable Energy Lab Golden CO 80401 USA. E-mail Address: suhuai_wei@nrel.gov; jbli@semi.ac.cn
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| 制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人: 张恒; 魏鸿源; 杨少延; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 刘祥林; 王占国
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| 半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 项若飞; 汪连山; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 张恒; 冯玉霞; 焦春美; 魏鸿源; 杨少延; 王占国
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| 大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 李辉杰; 杨少延; 魏鸿源; 赵桂娟; 汪连山; 李成明; 刘祥林; 王占国
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| AlN单晶衬底生产设备及其使用方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人: 李辉杰; 杨少延; 魏鸿源; 赵桂娟; 汪连山; 李成明; 刘祥林; 王占国
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