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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo JY (Luo JunYan);  Shen Y (Shen Yu);  He XL (He Xiao-Ling);  Li XQ (Li Xin-Qi);  Yan YJ (Yan YiJing)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo JY (Luo JunYan);  Wang SK (Wang Shi-Kuan);  He XL (He Xiao-Ling);  Li XQ (Li Xin-Qi);  Yan YJ (Yan YiJing);  Luo, JY, Zhejiang Univ Sci & Technol, Sch Sci, Hangzhou 310023, Peoples R China. 电子邮箱地址: jyluo@zust.edu.cn;  yyan@ust.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li F;  Jiao HJ;  Luo JY;  Li XQ;  Gurvitz SA;  Li F Chinese Acad Sci State Key Lab Superlattices & Microstruct Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: fengli@semi.ac.cn;  lixinqi@bnu.edu.cn;  shmuel.gurvitz@weizmann.ac.il
Adobe PDF(341Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1433/364  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li F;  Jiao HJ;  Wang H;  Luo JY;  Li XQ;  Li F Chinese Acad Sci State Key Lab Superlattices & Microstruct Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: fengli@semi.ac.cn
Adobe PDF(299Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：913/260  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo JY;  Jiao HJ;  Li F;  Li XQ;  Yan YJ;  Luo JY Hong Kong Univ Sci & Technol Dept Chem Kowloon Hong Kong Peoples R China. Funding Agency Grant Number
Adobe PDF(336Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1099/369  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo, JY;  Li, XQ;  Yan, YJ;  Luo, JY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(420Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：728/224  |  提交时间：2010/03/08
量子输运的主方程方法以及在量子点系统中的应用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  骆钧炎
Adobe PDF(1358Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：814/19  |  提交时间：2009/04/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, YM;  Sun, GS;  Liu, XF;  Li, JY;  Zhao, WS;  Wang, L;  Luo, MC;  Li, JM;  Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ymzhao@semi.ac.cn
Adobe PDF(520Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1047/264  |  提交时间：2010/03/08
Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Liu, XF (Liu, X. F.);  Sun, GS (Sun, G. S.);  Li, JM (Li, J. M.);  Zhao, YM (Zhao, Y. M.);  Li, JY (Li, J. Y.);  Wang, L (Wang, L.);  Zhao, WS (Zhao, W. S.);  Luo, MC (Luo, M. C.);  Zeng, YP (Zeng, Y. P.);  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1318Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1331/197  |  提交时间：2010/03/29
Micro-raman  4h-sic  Defects  3c-inclusions  Triangle-shaped Inclusion  Epitaxial Layers  Silicon-carbide  
Homoepitaxial growth of 4H-SiC multi-epilayers and its application to UV detection 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:  Liu, XF (Liu, X. F.);  Sun, GS (Sun, G. S.);  Zhao, YM (Zhao, Y. M.);  Ning, J (Ning, J.);  Li, JY (Li, J. Y.);  Wang, L (Wang, L.);  Zhao, WS (Zhao, W. S.);  Luo, MC (Luo, M. C.);  Li, JM (Li, J. M.);  Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Homoepitaxy  4h-sic  Multi-epilayer  Uv Detection  p(+)-pi-n(-)  Ultraviolet Photodetector  Epitaxial-growth