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| 硅基III-V族混合激光器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 李梦珂
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Qiu, WB; Ma, YH; Zhao, J; Wang, JX; Li, MK; Li, SY; Pan, JQ
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ling CC; Mui WK; Lam CH; Beling CD; Fung S; Lui MK; Cheah KW; Li KF; Zhao YW; Gong M; Ling CC,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China. 电子邮箱地址: ccling@hku.hk
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| 一种可用于硅基集成的HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人: 米俊萍; 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 李士颜; 潘教青
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| 一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
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| 在Si基上制备InP基HEMT的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05
发明人: 李士颜; 周旭亮; 于鸿艳; 李梦珂; 米俊萍; 潘教青
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| 硅基高迁移率InGaAs沟道的环栅MOSFET制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
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| 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26
发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青
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| 一种硅基微腔激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩
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| ART结构沟槽内生长GaAs材料HEMT器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人: 李梦珂; 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 米俊萍; 潘教青
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