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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei LM;  Gao KH;  Liu XZ;  Zhou WZ;  Cui LJ;  Zeng YP;  Yu G;  Yang R;  Lin T;  Shang LY;  Guo SL;  Dai N;  Chu JH;  Austing DG;  Yu, G (reprint author), Shanghai Inst Tech Phys, Chinese Acad Sci, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China, yug@mai.sitp.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang M;  Chang K;  Wang LG;  Dai N;  Peeters FM;  Wang M Chinese Acad Sci Inst Semicond SKLSM POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: kchang@red.semi.ac.cn
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制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  戴瑞烜;  陈诺夫;  彭长涛;  王鹏
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具有布拉格反射器的n+/p型高抗辐照GaAs太阳电池 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  白一鸣;  陈诺夫;  戴瑞烜;  王鹏;  王晓东
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou WZ;  Huang ZM;  Qiu ZJ;  Lin T;  Shang LY;  Li DL;  Gao HL;  Cui LJ;  Zeng YP;  Guo SL;  Gui YS;  Dai N;  Chu JH;  Chu, JH, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhchu@mail.sitp.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou, WZ (Zhou, W. Z.);  Lin, T (Lin, T.);  Shang, LY (Shang, L. Y.);  Yu, G (Yu, G.);  Huang, ZM (Huang, Z. M.);  Guo, SL (Guo, S. L.);  Gui, YS (Gui, Y. S.);  Dai, N (Dai, N.);  Chu, JH (Chu, J. H.);  Cui, LJ (Cui, L. J.);  Li, DL (Li, D. L.);  Gao, HL (Gao, H. L.);  Zeng, YP (Zeng, Y. P.);  Chu, JH, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhchu@mail.sitp.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chang K;  Liu JT;  Xia JB;  Dai N;  Chang, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, NLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: kchang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  白一鸣;  陈诺夫;  戴瑞炬;  王鹏;  彭长涛
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  代晓光;  牛萍娟;  张宇;  陈弘达;  毛陆虹;  郭维廉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qiu ZJ;  Gui YS;  Cui LJ;  Zeng YP;  Huang ZM;  Shu XZ;  Dai N;  Guo SL;  Chu JH;  Qiu, ZJ, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China.
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