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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研... [18]
中科院半导体材料科学... [3]
半导体材料科学中心 [1]
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肖红领 [3]
刘喆 [1]
韩勤 [1]
潘旭 [1]
王保柱 [1]
王晓燕 [1]
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Journal a... [16]
Patent [5]
Conference... [1]
Date Issued
2021 [3]
2008 [2]
2007 [2]
2006 [1]
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2004 [2]
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半导体学报 [9]
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无权访问的条目
期刊论文
Authors:
Chu, Jiayan
;
Wang, Quan
;
Jiang, Lijuan
;
Feng, Chun
;
Li, Wei
;
Liu, Hongxin
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Xiaoliang
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Submit date:2022/11/03
无权访问的条目
期刊论文
Authors:
Chu, Jiayan
;
Wang, Quan
;
Feng, Chun
;
Jiang, Lijuan
;
Li, Wei
;
Liu, Hongxin
;
Wang, Qian
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Xiaoliang
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Submit date:2022/12/29
无权访问的条目
期刊论文
Authors:
Hu, Haoyue
;
Xiao, Hongling
;
Guo, Fen
;
Wang, Quan
;
Feng, Chun
;
Jiang, Lijuan
;
Wang, Qian
;
Liu, Hongxin
;
Wang, Xiaoliang
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Submit date:2022/07/26
用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
王保柱
;
王晓亮
;
王晓燕
;
王新华
;
肖红领
;
王军喜
;
刘宏新
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Submit date:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
Authors:
林郭强
;
曾一平
;
王晓亮
;
刘宏新
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Submit date:2010/11/23
在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
刘喆
;
李晋闽
;
王军喜
;
王晓亮
;
王启元
;
刘宏新
;
王俊
;
曾一平
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Submit date:2009/06/11
High responsivity ultraviolet photodetector based on crack-free GaN on Si (111)
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Vancouver, CANADA, AUG 13-17, 2006
Authors:
Wang, XY (Wang, Xiaoyan)
;
Wang, XL (Wang, Xiaoliang)
;
Wang, BZ (Wang, Baozhu)
;
Xiao, HL (Xiao, Hongling)
;
Liu, HX (Liu, Hongxin)
;
Wang, JX (Wang, Junxi)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
;
Wang, XY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Submit date:2010/03/29
Buffer Layer
Stress
Photodiodes
Reduction
Detectors
Sapphire
Epitaxy
Growth
无权访问的条目
期刊论文
Authors:
王保柱
;
王晓亮
;
王晓燕
;
王新华
;
郭伦春
;
肖红领
;
王军喜
;
刘宏新
;
曾一平
;
李晋闽
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Submit date:2010/11/23
一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
张南红
;
王晓亮
;
曾一平
;
肖红领
;
王军喜
;
刘宏新
;
李晋闽
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Submit date:2009/06/11
生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:
肖红领
;
王晓亮
;
王军喜
;
张南红
;
刘宏新
;
曾一平
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Submit date:2009/06/11