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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  严莉;  陈晓阳;  何世堂;  李红浪;  韩培德;  陈振;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  李昱峰;  袁海荣;  陆沅;  黎大兵;  朱勤生;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  王晓晖;  李昱峰;  陆大成;  刘祥林;  袁海荣;  陆沅;  黎大兵;  王秀凤;  朱勤生;  王占国;  陈振;  韩培德
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Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈振;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  袁海荣;  王占国
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半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  刘祥林;  陆大成;  王晓晖;  袁海荣
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  韩培德;  刘祥林;  袁海荣;  陈振;  李昱峰;  陆沅;  汪度;  陆大成;  王占国
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一种氮化物半导体器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陆大成;  刘祥林;  袁海荣;  王晓晖
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Ⅲ族氮化物材料及GaAs基太阳能电池的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2001
Authors:  袁海荣
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  王晓晖;  刘祥林;  陆大成;  袁海荣;  韩培德;  汪度
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  袁海荣;  向贤碧;  陈庭金;  陆大成
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  陆大成;  刘祥林;  韩培德;  王晓晖;  汪度;  袁海荣
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