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具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  卢励吾;  张砚华;  葛惟昆
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采用损耗微调波导实现阵列波导光栅通道均匀性的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  安俊明;  李建光;  王红杰;  吴远大;  胡雄伟
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3dB耦合波导实现阵列波导光栅输出平坦化的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  安俊明;  李建光;  王红杰;  吴远大;  胡雄伟
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用于电吸收调制半导体激光器高频封装的热沉 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李宝霞;  张靖;  杨华;  王圩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB;  Duan RF;  Wang JX;  Li JM;  Huo ZQ;  Ma P;  Liu Z;  Zeng YP;  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu HJ (Wu Hui-Juan);  Li XX (Li Xiao-Xin);  Dong JQ (Dong Jian-Qiang);  Pei WH (Pei Wei-Hua);  Chen HD (Chen Hong-Da);  Li, XX, Peking Univ, Dept Ophthalmol, Peoples Hosp, Beijing, Peoples R China. E-mail: drlixiaoxin@vip.sina.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu Q (Xu Qiang);  Luo JW (Luo Jun-Wei);  Li SS (Li Shu-Shen);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Li JB (Li Jingbo);  Wei SH (Wei Su-Huai);  Li, JB, Acad Sinica, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang JW (Wang Jian-Wei);  Li SS (Li Shu-Shen);  Wang, JW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sslee@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei TB;  Ma P;  Duan RF;  Wang JX;  Li JM;  Liu Z;  Zeng YP;  Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tbwei@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW (Zhang Xiu-Wen);  Fan WJ (Fan Wei-Jun);  Zheng YH (Zheng Yu-Hong);  Li SS (Li Shu-Shen);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhxw99@semi.ac.cn
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