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| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: Bai AQ; Hu D; Ding WC; Su SJ ; Hu WX; Xue CL; Fan ZC; Cheng BW; Yu YD; Wang QM; Cheng BW Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: anqibai@semi.ac.cn; cbw@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: Xue HY; Xue CL; Cheng BW; Yu YD; Wang QM; Xue HY Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: cbw@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: Hu WX; Cheng BW; Xue CL; Xue HY; Su SJ; Bai AQ; Luo LP; Yu YD; Wang QM; Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: cbw@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: Xue CL (Xue Chunlai); Xue HY (Xue Haiyun); Cheng BW (Cheng Buwen); Hu WX (Hu Weixuan); Yu YD (Yu Yude); Wang QM (Wang Qiming); Xue, CL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: clxue@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: 白安琪; 胡迪; 丁武昌; 苏少坚; 胡炜玄; 薛春来; 樊中朝; 成步文; 俞育德; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: 成步文; 薛春来; 罗丽萍; 韩根全; 曾玉刚; 薛海韵; 王启明
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| 一种异质结双极晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 姚飞; 薛春来; 成步文; 王启明
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| 半导体应变弛豫材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 成步文; 姚飞; 薛春来; 张建国; 左玉华; 王启明
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| Low threading-dislocation-density Ge film on Si grown on a pitting Ge buffer layer 会议论文
2008 5TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS, Sorrento, ITALY, SEP 17-19, 2008
Authors: Cheng BW; Xue HY; Hu D; Han GQ; Zeng YG; Bai AQ; Xue CL; Luo LP; Zuo YH; Wang QM; Cheng, BW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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Sige/si(100) Epitaxial-films |
| 制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 薛春来; 成步文; 姚飞; 王启明
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