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低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910080069.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  林孟喆;  曹青;  颜庭静;  陈良惠
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分析调控纳米三明治结构谐振波长的等效电路方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201110023120.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  付非亚;  王宇飞;  晏新宇;  刘安金;  周文君;  郑婉华
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电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081984.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  霍永恒;  马文全;  种明;  张艳华;  陈良惠
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复合结构光子晶体 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102213793A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郑婉华;  晏新宇
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双新月对结构的化学传感系统 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102175705A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  王宇飞;  晏新宇;  付非亚;  刘安金;  周文君;  陈微;  郑婉华
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一种对GaAs与Si进行低温金属键合的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102110594A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  彭红玲;  郑婉华;  石岩;  马绍栋
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增强纳米三明治品质因子的结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102166845A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  付非亚;  王宇飞;  晏新宇;  刘安金;  周文君;  郑婉华
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甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  卫炀;  马文全;  张艳华;  曹玉莲
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Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  张艳华;  马文全;  曹玉莲
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一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-07
发明人:  郭晓璐;  马文全;  张艳华
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