| 电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法; 电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法 |
| 霍永恒; 马文全; 种明; 张艳华; 陈良惠
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
; 2011-08-31
; 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种电压调制型中长波双色量子阱红外探测器，包括：一半绝缘半导体GaAs衬底；一第一半导体GaAs接触层，制作在半绝缘半导体GaAs衬底上；一第一多量子阱红外探测器，制作在第一半导体GaAs接触层上，在第一半导体GaAs接触层的一侧形成一台面；一第二半导体GaAs接触层，制作在第一多量子阱红外探测器上；一第二多量子阱红外探测器，制作在第二半导体GaAs接触层上；一第三半导体GaAs接触层，制作在第二多量子阱红外探测器上；一上接触电极和下接触电极，分别制作在第三半导体GaAs接触上和第一半导体GaAs接触层形成的台面上。 |
| 部门归属 | 纳米光电子实验室
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| 专利号 | CN200910081984.X
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910081984.X
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22453
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| 专题 | 纳米光电子实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
霍永恒,马文全,种明,等. 电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法, 电压调制型中长波双色量子阱红外探测器及其制作方法. CN200910081984.X.
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