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| 具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102290481A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 刘德伟; 黄永光; 朱小宁; 王熙元; 马丽; 朱洪亮
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| 具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102227005A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 刘德伟; 黄永光; 朱小宁; 王熙元; 马丽; 朱洪亮
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| 广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280513A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 黄永光; 朱小宁; 刘德伟; 王熙元; 马丽; 朱洪亮
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| 氮化镓基衬底光子晶体发光二极管制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-27, 2013-03-27
发明人: 谢海忠; 卢鹏志; 耿雪妮; 杨华; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽
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| 在硅片上制作八边形微孔的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-24
发明人: 黄永光; 王熙元; 刘德伟; 朱小宁; 王宝军; 朱洪亮
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| 将氮化镓基发光二极管的外延结构表面粗化的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04
发明人: 田婷; 张逸韵; 耿雪妮; 李璟; 伊晓燕; 王国宏
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| ICP干法刻蚀工艺制备剖面为正梯形的台面的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-21
发明人: 徐晓娜; 胡传贤; 樊中朝; 王晓东; 杨富华
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| 一种基于自组织量子点的存储器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102136492A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-07-27, 2012-09-07
发明人: 李越强; 王晓东; 徐晓娜; 刘雯; 陈燕玲; 杨富华
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