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碳化硅射频微电子机械系统滤波器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人:  赵永梅;  宁 瑾;  孙国胜;  王 亮;  刘兴昉;  赵万顺;  王 雷;  李晋闽;  曾一平 
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氧化硅上制备低阻碳化硅的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  宁 瑾;  王 亮;  刘兴昉;  赵万顺;  王 雷;  李晋闽;  曾一平
Adobe PDF(564Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1533/262  |  提交时间：2010/03/19
图形衬底上生长碳化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:  赵永梅;  孙国胜;  刘兴昉;  王 亮;  王 雷;  赵万顺;  李晋闽;  曾一平 
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han W;  Zhu NH;  Xie L;  Ren M;  Sun K;  Zhang BH;  Li L;  Zhang HG;  Han W Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: whan@semi.ac.cn
Adobe PDF(664Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1818/730  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao HM;  Lombez L;  Liu BL;  Sun BQ;  Xue QK;  Chen DM;  Marie X;  Zhao HM Chinese Acad Sci Inst Phys Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys POB 603 Beijing 100080 Peoples R China. E-mail Address: blliu@aphy.iphy.ac.cn;  marie@insa-toulouse.fr
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun L;  Zhou WZ;  Yu GL;  Shang LY;  Gao KH;  Zhou YM;  Lin T;  Cui LJ;  Zeng YP;  Chu JH;  Sun L Chinese Acad Sci Shanghai Inst Tech Phys Natl Lab Infrared Phys Shanghai 200083 Peoples R China. E-mail Address: yug@mail.sitp.ac.cn
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Correlation Between Lattice Strain and Energy Gap Bowing of AlxGa1-xN Epitaxial Thin Films 会议论文
MATERIALS RESEARCH, Chongqing, PEOPLES R CHINA, JUN 09-12, 2008
作者:  Zhao L;  Lu ZX;  Cheng CJ;  Zhao DG;  Zhu JJ;  Sun BJ;  Qu B;  Zhang XF;  Sun WG;  Zhao, L, Luoyang Optoelect Inst, Luoyang, Peoples R China.
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Alxga1-xn  
In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:  Sun, GS;  Zhao, YM;  Wang, L;  Zhao, WS;  Liu, XF;  Ji, G;  Zeng, YP;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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In-situ Doping  Boron  Aluminum  Memory Effects  Hot-wall Lpcvd  4h-sic  
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:  Zhao, YM;  Sun, GS;  Liu, XF;  Li, JY;  Zhao, WS;  Wang, L;  Li, JM;  Zeng, YP;  Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Silicon Carbide  Aluminum Nitride  Buffer Layer  Lpcvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  李文生;  孙宝权
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