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无权访问的条目 期刊论文
作者:  X. F. Liu;  z G. G. Yan;  Z. W. Shen;  Z. X.Wen;  L. X. Tian;  W. S. Zhao;  L. Wang;  M. Guan;  F. Zhang;  G. S. Sun;  Y. P. Zeng
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, Hao X.;  Zhang, Wei;  Liu, Yan Y.;  Zhang, Liang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jia, Caihong;  Chen, Yonghai;  Guo, Yan;  Liu, Xianglin;  Yang, Shaoyan;  Zhang, Weifeng;  Wang, Zhanguo;  Chen, Y.(yhchen@semi.ac.cn)
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掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  宋华平;  杨安丽;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郑高林;  杨安丽;  宋华平;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭严;  宋华平;  郑高林;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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制备高选择比量子级联激光器脊波导结构的湿法腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  梁平;  刘峰奇;  张锦川;  闫方亮;  胡颖;  王利军;  刘俊岐;  王占国
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