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| 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 李家业; 王雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平 Adobe PDF(365Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1484/230  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉 Adobe PDF(685Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1248/186  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘兴昉; 孙国胜; 李晋闽; 赵永梅; 王雷; 赵万顺; 李家业; 曾一平 Adobe PDF(494Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1291/218  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉 Adobe PDF(730Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1084/167  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉 Adobe PDF(682Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1078/158  |  提交时间:2009/06/11 |
| 能引出低熔点金属离子的冷阴极潘宁离子源 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 徐嘉东; 李建明; 杨占坤 Adobe PDF(342Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:983/176  |  提交时间:2009/06/11 |
| 使多个V形光伏器件组件连接的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李建明; 种明; 徐嘉东; 刘海涛; 边莉; 迟迅; 翟永辉 Adobe PDF(490Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1099/166  |  提交时间:2009/06/11 |
| 改进砷化镓晶片表面质量的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李建明; 徐嘉东 Adobe PDF(250Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1150/168  |  提交时间:2009/06/11 |
| 制造半导体双极器件的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 徐嘉东; 李建明; 张秀兰 Adobe PDF(209Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1052/146  |  提交时间:2009/06/11 |
| 提高半导体光电转换器件性能的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 李建明; 种明; 杨丽卿; 徐嘉东; 胡传贤; 段晓峰; 高旻; 朱建成; 王凤莲 Adobe PDF(337Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1231/182  |  提交时间:2009/06/11 |