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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yao Y;  Liao MY;  Kohler T;  Frauenheim T;  Zhang RQ;  Wang ZG;  Lifshitz Y;  Lee ST;  Yao, Y, City Univ Hong Kong, Ctr Super Diamond & Adv Films, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: apshay@cityu.edu.hk
Adobe PDF(306Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：974/284  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yao, Y;  Liao, MY;  Wang, ZG;  Lifshitz, Y;  Lee, ST;  Lee, ST, City Univ Hong Kong, Ctr Super Diamond & Adv Films COSDAF, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: apannale@cityu.edu.hk
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄大定;  刘超;  李建平;  高斐;  孙殿照;  朱世荣;  孔梅影
Adobe PDF(295Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1078/281  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  刘宏新;  孙殿照;  曾一平;  李晋闽;  孔梅影;  林兰英;  刘新宇;  刘键;  钱鹤
Adobe PDF(371Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1304/410  |  提交时间：2010/11/23
气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄大定;  李建平;  高斐;  林燕霞;  孙殿照;  刘金平;  朱世荣;  孔梅影
Adobe PDF(574Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1504/223  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao X;  Zeng YP;  Kong MY;  Pan L;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Cao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Gao F;  Lin YX;  Huang DD;  Li JP;  Sun DZ;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Gao F Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond Beijing 10083 Peoples R China.
Adobe PDF(96Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1738/419  |  提交时间：2010/11/15
Annealing  Molecular Beam Epitaxy  Germanium Silicon Alloys  Semiconducting Materials  Strain Relaxation  
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Kong MY;  Zhang JP;  Wang XL;  Sun DZ;  Kong MY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(187Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1272/345  |  提交时间：2010/11/15
Impurities  Molecular Beam Epitaxy  Nitrides  Semiconducting Iii-v Materials  Gallium Nitride  Sapphire Substrate  Defects  Heterostructure  Semiconductors  Stress  
High-quality metamorphic HEMT grown on GaAs substrates by MBE 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Zeng YP;  Cao X;  Cui LJ;  Kong MY;  Pan L;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Cao X Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular Beam Epitaxy  High Electron Mobility Transistors  Density  
Using photoluminescence as optimization criterion to achieve high-quality InGaAs/AlGaAs pHEMT structure 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Cao X;  Zeng YP;  Cui LJ;  Kong MY;  Pan LA;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Cao X Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(106Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1540/426  |  提交时间：2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy  Mobility