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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li, Xiaoqian; Pei, Weihua; Gui, Qiang; Guo, Kai; Wang, Yu; Wang, Kai; Tang, Rongyu; Chen, Hongda; Pei, W.(peiwh@semi.ac.cn)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周志文; 贺敬凯; 李成; 余金中
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou, Zhi-Wen; He, Jing-Kai; Li, Cheng; Yu, Jin-Zhong; Zhou, Z.-W.(zhouzw@sziit.com.cn)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周志文; 贺敬凯; 王瑞春; 李成; 余金中
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 廖凌宏; 周志文; 李成; 陈松岩; 赖虹凯; 余金中; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 周志文; 蔡志猛; 张永; 蔡坤煌; 周笔; 林桂江; 汪建元; 李成; 赖虹凯; 陈松岩; 余金中; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张永; 李成; 赖虹凯; 陈松岩; 康俊勇; 成步文 ; 王启明
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| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国
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| 砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李凯; 叶小玲; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Lin GJ (Gui-Jiang, Lin); Zhou ZW (Zhou Zhi-Wen); Lai HK (Lai Hong-Kai); Li C (Li Cheng); Chen SY (Chen Song-Yan); Yu JZ (Yu Jin-Zhong); Lin, GJ, Xiamen Univ, Dept Phys, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: jzyu@red.semi.ac.cn
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