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作者:  Gong M (Gong Ming);  Chen G (Chen Geng);  He LX (He Lixin);  Li CF (Li Chuan-Feng);  Tang JS (Tang Jian-Shun);  Sun FW (Sun Fang-Wen);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Huang SS (Huang She-Song);  Xiong YH (Xiong Yong-Hua);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Guo GC (Guo Guang-Can);  Gong, M, Univ Sci & Technol China, CAS, Key Lab Quantum Informat, Hefei 230026, Peoples R China. 电子邮箱地址: helx@ustc.edu.cn;  cfli@ustc.edu.cn
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一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  牛智川;  倪海桥;  王海莉;  贺继方;  朱岩;  李密峰;  王鹏飞;  黄社松;  熊永华
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