中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共22条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人:  谈笑天;  郑厚植;  刘 剑;  杨富华
Adobe PDF(316Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1630/274  |  提交时间：2010/08/12
光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李晋闽;  王晓东;  王国宏;  王良臣;  杨富华
Adobe PDF(606Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1197/201  |  提交时间：2009/06/11
一种生长二氧化硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓东;  季安;  邢波;  杨富华
Adobe PDF(485Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1193/194  |  提交时间：2009/06/11
聚光太阳电池单元 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  黄添懋;  王晓晖;  陈晨龙;  吴金良;  董毅
Adobe PDF(324Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1212/187  |  提交时间：2009/06/11
具有布拉格反射器的n+/p型高抗辐照GaAs太阳电池 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  白一鸣;  陈诺夫;  戴瑞烜;  王鹏;  王晓东
Adobe PDF(515Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1144/163  |  提交时间：2009/06/11
n+/p型GaAs太阳电池表面高透射率窗口层的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  白一鸣;  陈诺夫;  梁平;  孙红;  胡颖;  王晓东
Adobe PDF(413Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1286/237  |  提交时间：2009/06/11
砷化镓/锑化镓迭层聚光太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  白一鸣;  梁平;  王晓晖
Adobe PDF(434Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1193/194  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui XD (Cui Xiao-Dong);  Shen SQ (Shen Shun-Qing);  Li J (Li Jian);  Ji Y (Ji Yang);  Ge WK (Ge Weikun);  Zhang FC (Zhang Fu-Chun);  Shen, SQ, Univ Hong Kong, Dept Phys, Hong Kong, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: sshen@hkucc.hku.hk
Adobe PDF(241Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1261/375  |  提交时间：2010/03/29
一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  邓加军;  毕京峰;  牛智川;  杨富华;  吴晓光;  郑厚植
Adobe PDF(336Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1179/141  |  提交时间：2009/06/11
聚光太阳电池的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  白一鸣;  王晓晖;  梁平;  陆大成
Adobe PDF(354Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1255/201  |  提交时间：2009/06/11