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一种生长可控量子点和量子环的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 4011
发明人:  赵 暕;  陈涌海;  王占国;  徐 波
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一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-06, 公开日期: 3993
发明人:  陈志刚;  张 杨;  杨富华 
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  You JB;  Zhang XW;  Dong JJ;  Song XM;  Yin ZG;  Chen NF;  Yan H;  Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  You JB;  Zhang XW;  Song HP;  Ying J;  Guo Y;  Yang AL;  Yin ZG;  Chen NF;  Zhu QS;  You JB Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbyou@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao JZ;  Lin ZJ;  Corrigan TD;  Zhang Y;  Lu YJ;  Lu W;  Wang ZG;  Chen H;  Zhao JZ Shandong Univ Sch Phys Jinan 250100 Peoples R China. E-mail Address: linzj@sdu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Q;  Wang XQ;  He XW;  Yin CM;  Xu FJ;  Shen B;  Chen YH;  Wang ZG;  Ishitani Y;  Yoshikawa A;  Zhang Q Peking Univ Sch Phys State Key Lab Artificial Microstruct & Mesoscop P Beijing 100871 Peoples R China. E-mail Address: wangshi@pku.edu.cn;  bshen@pku.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cai PF;  You JB;  Zhang XW;  Dong JJ;  Yang XL;  Yin ZG;  Chen NF;  Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  You JB;  Zhang XW;  Cai PF;  Dong JJ;  Gao Y;  Yin ZG;  Chen NF;  Wang RZ;  Yan H;  Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Z;  Zhang R;  Xie ZL;  Liu B;  Li M;  Fu DY;  Fang HN;  Xiu XQ;  Lu H;  Zheng YD;  Chen YH;  Tang CG;  Wang ZG;  Zhang R Nanjing Univ Key Lab Adv Photon & Elect Mat Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: rzhang@nju.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang CG;  Chen YH;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yhchen@red.semi.ac.cn
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