一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法
陈志刚; 张 杨; 杨富华 
2009-05-06
专利权人中科院半导体研究所
公开日期3993
授权国家中国
专利类型发明
申请日期2007-10-31
语种中文
专利状态公开
申请号CN200710176602
专利代理人汤宝平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9170
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
陈志刚,张 杨,杨富华 . 一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法[P]. 2009-05-06.
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