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砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  倪海桥;  韩勤;  张石勇;  吴东海;  赵欢;  杨晓红;  彭红玲;  周志强;  熊永华;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng, HL (Peng Hong-Ling);  Han, Q (Han Qin);  Yang, XH (Yang Xiao-Hong);  Niu, ZC (Niu Zhi-Chuan);  Peng, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hao RT (Hao Ruiting);  Xu YQ (Xu Yingqiang);  Zhou ZQ (Zhou Zhiqiang);  Ren ZW (Ren Zhengwei);  Ni HQ (Ni Haiqiao);  He ZH (He Zhenhong);  Niu ZC (Niu Zhichuan);  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hao RT (Hao Ruiting);  Xu YQ (Xu Yingqiang);  Zhou ZQ (Zhou Zhiqiang);  Ren ZW (Ren Zhengwei);  Ni HQ (Ni Haiqiao);  He ZH (He Zhenhong);  Niu ZC (Niu, Zhichuan);  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiao JL (Xiao Jin-Long);  Huang YZ (Huang Yong-Zhen);  Du Y (Du Yun);  Zhao, H (Zhao Huan);  Ni HQ (Ni Hai-Qiao);  Niu ZC (Niu Zhi-Chuan);  Xiao, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yzhuang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, BP;  Wu, DH;  Ni, HQ;  Huang, SS;  Zhan, F;  Xiong, YH;  Xu, YQ;  Niu, ZC;  Wu, DH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wudonghai@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng JJ;  Zhao JH;  Tan PH;  Bi JF;  Gan HD;  Niu ZC;  Wu XG;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tangring, I;  Ni, HQ;  Wu, BP;  Wu, DH;  Xiong, YH;  Huang, SS;  Niu, ZC;  Wang, SM;  Lai, ZH;  Larsson, A;  Tangring, I, Chalmers, Dept Microtechnol & Nanosci, S-41296 Gothenburg, Sweden. 电子邮箱地址: ivar.tangring@mc2.chalmers.se
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Self-assembled GaAs quantum rings by MBE droplet epitaxy 会议论文
Nanoscience and Technology丛书标题: SOLID STATE PHENOMENA, Beijing, PEOPLES R CHINA, JUN 09-11, 2005
作者:  Huang, SS (Huang, Shesong);  Niu, ZC (Niu, Zhichuan);  Xia, JB (Xia, Jianbai);  Huang, SS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Quantum Single Rings  Concentric Quantum Double Rings  Coupled Concentric Quantum Double Ring  Droplet Epitaxy  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, Z (Sun, Z.);  Yang, XD (Yang, X. D.);  Sun, BQ (Sun, B. Q.);  Ji, Y (Ji, Y.);  Zhang, SY (Zhang, S. Y.);  Ni, HQ (Ni, H. Q.);  Niu, ZC (Niu, Z. C.);  Xu, ZY (Xu, Z. Y.);  Sun, Z, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlatt & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sz3288@red.semi.ac.cn;  ji_ym@mail.sic.ac.cn;  zyxu@red.semi.ac.cn
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