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具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  杨霏;  李成明;  范海波;  陈涌海;  刘志凯;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, NH (Zhu, Ning Hua);  Hou, GH (Hou, Guang Hui);  Huang, HP (Huang, Heng Pei);  Xu, GZ (Xu, Gui Zhi);  Zhang, T (Zhang, Tao);  Liu, Y (Liu, Yu);  Zhu, HL (Zhu, Hong Liang);  Zhao, LJ (Zhao, Ling Juan);  Wang, W (Wang, Wei);  Zhu, NH, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nhzhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP (Liu Jun-Peng);  Qu SC (Qu Sheng-Chun);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Xu Y (Xu Ying);  Zeng XB (Zeng Xiang-Bo);  Liang LY (Liang Ling-Yan);  Wang ZJ (Wang Zhi-Jie);  Zhou HY (Zhou Hui-Ying);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qusc@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li ZY (Li Zhi-Yong);  Liu JW (Liu Jing-Wei);  Yu JZ (Yu Jin-Zhong);  电子邮箱地址: lizhy@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP (Liu Jun-Peng);  Qu SC (Qu Sheng-Chun);  Xu Y (Xu Ying);  Chen YH (Chen Yong-Hai);  Zeng XB (Zeng Xiang-Bo);  Wang ZJ (Wang Zhi-Jie);  Zhou HY (Zhou Hui-Ying);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  贾国治;  姚江宏;  张春玲;  舒强;  刘如彬;  叶小玲;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  宋倩;  许兴胜;  赵致民;  刘发民;  陈弘达
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵凯;  刘忠立;  于芳;  高见头;  肖志强;  洪根深
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  苏志国;  许金通;  陈俊;  李向阳;  刘骥;  赵德刚
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李庚伟;  吴正龙;  邵素珍;  刘志凯
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