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碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  马志勇;  冉学军;  王翠敏;  肖红领;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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用等离子体处理提高硅基晶体薄膜发光的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓欣;  张建国;  王启明
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一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冉军学;  王晓亮;  李建平;  胡国新;  王军喜;  王翠梅;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张心强;  张维佳;  武美伶;  贾士亮;  刘浩;  李国华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王青;  曹玉莲;  何国荣;  韦欣;  渠红伟;  宋国峰;  马文全;  陈良惠
Adobe PDF(566Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：873/337  |  提交时间：2010/11/23