用等离子体处理提高硅基晶体薄膜发光的方法
王晓欣; 张建国; 王启明
2007-02-21
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2005-08-18
语种中文
申请号200510090642
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3615
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
王晓欣,张建国,王启明. 用等离子体处理提高硅基晶体薄膜发光的方法[P]. 2007-02-21.
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