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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张明兰 ; 杨瑞霞; 王晓亮; 胡国新; 高志
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张明兰; 王晓亮; 杨瑞霞; 胡国新
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡强; 魏同波; 段瑞飞; 羊建坤; 霍自强; 卢铁城; 曾一平
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| 一种化学气相沉积装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010162506.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 段瑞飞; 曾一平; 王军喜; 冉军学; 胡国新; 羊建坤; 梁勇; 路红喜; 李晋闽
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| 一种碳化硅同质PIN微结构材料及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237845.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙国胜; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 杨挺; 吴海雷; 闫果果; 曾一平; 李晋闽
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| Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910236706.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 冉军学; 王晓亮; 李建平; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 杨翠柏; 李晋闽
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| 制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235336.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 胡强; 段瑞飞; 魏同波; 杨建坤; 霍自强; 曾一平
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| 采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010143078.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王晓峰; 杨华; 刘祯; 曾一平; 王国宏
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| p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240351.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张小宾; 王晓亮; 肖红领; 杨翠柏; 冉军学; 王翠梅; 李晋闽
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| 在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235335.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 胡强; 段瑞飞; 魏同波; 杨建坤; 霍自强; 曾一平
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