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多量子阱波导对接耦合方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  胡小华;  王圩;  朱洪亮
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混合有机镓源选择区域生长铟镓砷磷多量子阱的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘国利;  王圩;  朱洪亮
Adobe PDF(400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：979/150  |  提交时间：2009/06/11
混合波导结构电吸收调制分布反馈激光器和制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘国利;  王圩;  朱洪亮
Adobe PDF(428Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：954/134  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen J;  Zhang SM;  Zhang BS;  Zhu JJ;  Feng G;  Duan LH;  Wang YT;  Yang H;  Zheng WC;  Chen J,Sichuan Univ,Dept Mat Sci,Chengdu 610064,Peoples R China.
Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1574/630  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Duan RF;  Wang BQ;  Zhu ZP;  Zeng Y;  Duan RF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Dept,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(182Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1165/354  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qiu ZJ;  Jiang CP;  Gui YS;  Shu XZ;  Guo SL;  Chu JH;  Cui LJ;  Zeng YP;  Zhu ZP;  Wang BQ;  Qiu ZJ,Chinese Acad Sci,Shanghai Inst Tech Phys,State Key Lab Infrared Phys,Shanghai 200083,Peoples R China.
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MOCVD growth of high quality crack-free GaN on Si(III) substrates 会议论文
PROCEEDINGS OF THE SIXTH CHINESE OPTOELECTRONICS SYMPOSIUM, KOWLOON, PEOPLES R CHINA, SEP 12-14, 2003
作者:  Zhang BS;  Zhu JJ;  Wang YT;  Yang H;  Zhang BS Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Vapor-phase Epitaxy  Layers  Aln  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang LJ;  Zhu MF;  Liu FZ;  Liu JL;  Han YQ;  Wang LJ,Chinese Acad Sci,Dept Phys,Grad Sch,Beijing 100039,Peoples R China.
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Influence of heated catalyzer on thermal distribution of substrate in HWCVD system 会议论文
THIN SOLID FILMS, 430 (1-2), DENVER, COLORADO, SEP 10-13, 2002
作者:  Zhang Q;  Zhu M;  Wang L;  Liu E;  Zhu M Chinese Acad Sci Dept Phys Grad Sch POB 3908 Beijing 100039 Peoples R China.
Adobe PDF(223Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1242/238  |  提交时间：2010/11/15
Amorphous-silicon  Deposition  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  He J;  Xu B;  Wang ZG;  Qu SC;  Liu FQ;  Zhu TW;  He J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(247Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：925/233  |  提交时间：2010/08/12