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低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘志凯;  柴春林;  陈诺夫;  王占国
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一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘志凯;  柴春林;  蒋渭生
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一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  刘祥林;  陈涌海;  朱勤生;  王占国
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大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  杨少延;  刘志凯;  柴春林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen SW;  Yan QF;  Xu QY;  Fan ZC;  Liu JW;  Chen, SW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Jia 35,Qinghua East Rd, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: swchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dou XY;  Zhou ZP;  Tan PH;  Song L;  Liu LF;  Zhao XW;  Luo SD;  Yan XQ;  Liu DF;  Wang JX;  Gao Y;  Zhang ZX;  Yuan HJ;  Zhou WY;  Xie SS;  Xie, SS, Chinese Acad Sci, Ctr Condensed Matter Phys, Inst Phys, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: xydou@aphy.iphy.ac.cn;  ssxie@aphy.iphy.ac.cn
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