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光子微结构GaN基蓝光发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  许兴胜;  陈弘达
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脊形波导与二维光子晶体相结合的硅基拉曼激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  许兴胜;  王春霞;  陈弘达
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光子晶体结构GaN基蓝光发光二极管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  许兴胜;  陈弘达;  马勇
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光子晶体波导分布反馈激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵致民;  许兴胜;  陈弘达;  李芳;  刘育梁
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全角度反射镜结构GaN基发光二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  许兴胜;  杜伟;  陈弘达
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在解理面上制作半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  张春玲;  崔草香;  徐波;  金鹏;  刘峰奇;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui CX;  Chen YH;  Jin P;  Xu B;  Ren YY;  Zhao C;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yhchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu XS (Xu Xing-Sheng);  Chen HD (Chen Hong-Da);  Xu, XS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: xsxu@red.semi.ac.cn
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Lateral intersubband photocurrent study on InAs/InAlas/InP self-assembled nanostructures 会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:  Lei W;  Chen YH;  Jin P;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Huang XQ;  Lei, W, Acad Sinica, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Lateral Intersubband Photocurrent  
Monte Carlo simulation of the modulated effect induced by the dislocation to the quantum dot growth 会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:  Zhao C;  Chen YH;  Zhao M;  Zhang CL;  Xu B;  Yu LK;  Sun J;  Lei W;  Wang ZG;  Zhao, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: czhao@semi.ac.cn
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Monte Carlo Simulation