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| 砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 高宏玲; 曾一平; 段瑞飞 ; 王宝强; 朱战平; 崔利杰
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| Novel photonic crystal structure GaN-based light-emitting diodes - art. no. 68410J 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者: Hu HY; Lu L; Du W; Liu HW; Kan Q; Wang CX; Xu XS; Chen HD; Hu, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100864, Peoples R China.
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Gan |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 肖雪芳; 杨国华; 归强; 王国宏; 马晓宇; 陈朝; 陈良惠
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 林郭强; 曾一平; 段瑞飞; 魏同波; 马平; 王军喜; 刘喆; 王晓亮; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 林郭强; 曾一平; 王晓亮; 刘宏新
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu Hongbo; Zhao Lingjuan; Kan Qiang; Pan Jiaoqing; Wang Lu; Zhu Hongliang; Zhou Fan; Wang Wei
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