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用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李路;  刘峰奇;  周华兵;  梁凌燕;  吕小晶
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砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李路;  刘峰奇;  刘俊岐;  郭瑜;  周华兵;  梁凌燕;  吕小晶
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ren, YY (Ren Yun-Yun);  Xu, B (Xu Bo);  Wang, ZG (Wang Zhan-Guo);  Liu-Ming (Liu-Ming);  Long, SB (Long Shi-Bing);  Ren, YY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yunyun_ren@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  任丙彦;  刘晓平;  许颖;  王敏花;  廖显伯
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