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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [16]
作者
杨少延 [3]
文献类型
期刊论文 [13]
专利 [3]
发表日期
2003 [16]
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发表日期:2003
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
磁性p-n结薄膜材料及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周剑平
;
陈诺夫
;
张富强
;
刘志凯
;
杨少延
;
柴春林
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提交时间:2009/06/11
组份渐变铁磁性半导体制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈诺夫
;
张富强
;
杨君玲
;
刘志凯
;
杨少延
;
柴春林
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浏览/下载:1175/157
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提交时间:2009/06/11
半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨君玲
;
陈诺夫
;
何家宏
;
钟兴儒
;
吴金良
;
林兰英
;
刘志凯
;
杨少延
;
柴春林
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提交时间:2009/06/11
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期刊论文
作者:
Xiu HX
;
Chen NF
;
Peng CT
;
Xiu HX,Chinese Acad Sci,Key Lab Senicond Mat Sci,Inst Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou JP
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Song SL
;
Chen NF
;
Lin LY
;
Zhou JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Zhang FQ
;
Chen NF
;
Liu ZK
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Yang JL
;
Wu JL
;
Lin LY
;
Callaghan FD
;
Li T
;
Foxton CT
;
Bates CA
;
Zhang FQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou JP
;
Chen NF
;
Song SL
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Lin LY
;
Zhou JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang FQ
;
Chen NF
;
Liu XG
;
Liu ZK
;
Yang SY
;
Cha CL
;
Zhang FQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Chen NF
;
Zhang FQ
;
Yang JL
;
Liu ZK
;
Yang SY
;
Chai CL
;
Wang ZG
;
Hu WR
;
Lin LY
;
Chen NF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1205/359
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou JP
;
Chen NF
;
Song SL
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Lin LY
;
Zhou JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12