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用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  彭长涛;  陈诺夫;  吴金良;  尹志冈;  杨霏
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倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李丙乾;  张书明;  杨辉
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利用倒装焊技术制作氮化镓基激光器管芯的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张书明;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao H;  Xu YQ;  Ni HQ;  Zhang SY;  Han Q;  Du Y;  Yang XH;  Wu RH;  Niu ZC;  Zhao, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlatt & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaohuan@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pang, JH (Pang, Jinhui);  Zhang, Q (Zhang, Qiang);  Yang, GW (Yang, Guowei);  Pang, JH, Beijing Inst Technol, Sch Management & Econ, Beijing 100081, Peoples R China. 电子邮箱地址: pangjinhui69@126.com;  qiangzhang@bit.edu.cn;  ygw_ustb@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, DG (Zhao, D. G.);  Liu, ZS (Liu, Z. S.);  Zhu, JJ (Zhu, J. J.);  Zhang, SM (Zhang, S. M.);  Jiang, DS (Jiang, D. S.);  Yang, H (Yang, Hui);  Liang, JW (Liang, J. W.);  Li, XY (Li, X. Y.);  Gong, HM (Gong, H. M.);  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li DY (Li Deyao);  Zhang SM (Zhang Shuming);  Wang JF (Wang Jianfeng);  Chen J (Chen Jun);  Chen LH (Chen Lianghui);  Chong M (Chong Ming);  Zhu JJ (Zhu Jianjun);  Zhao DG (Zhao Degang);  Liu ZS (Liu Zongshun);  Yang H (Yang Hui);  Liang JW (Liang Junwu);  Li, DY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dyli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP (Liu J. P.);  Shen GD (Shen G. D.);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Zhang SM (Zhang S. M.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Yang H (Yang H.);  Liu, JP, Beijing Univ Technol, Beijing Optoelect Technol Lab, Pingleyuan 100, Beijing 100022, Chaoyang Dist, Peoples R China. E-mail: jianpingliu76@hotmail.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang H (Wang H.);  Huang Y (Huang Y.);  Sun Q (Sun Q.);  Chen J (Chen J.);  Wang LL (Wang L. L.);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Zhao DG (Zhao D. G.);  Zhang SM (Zhang S. M.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Wang YT (Wang Y. T.);  Yang H (Yang H.);  Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangh@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhai TY (Zhai Tianyou);  Zhang XZ (Zhang Xinzheng);  Yang WS (Yang Wensheng);  Ma Y (Ma Ying);  Wang JF (Wang Jianfeng);  Gu ZJ (Gu Zhanjun);  Yu DP (Yu Dapeng);  Yang H (Yang Hui);  Yao JN (Yao Jiannian);  Yao, JN, Chinese Acad Sci, Inst Chem, Ctr Mol Sci, Key Lab Photochem, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: jnyao@iccas.ac.cn
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