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AlGaInP基发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郭德博;  王国宏;  梁萌;  范曼宁
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭德博;  梁萌;  范曼宁;  刘志强;  王良臣;  王国宏
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LED照明的LCD背光源结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  梁萌;  王国宏;  范曼宁;  郭德博
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  梁萌;  王国宏;  范曼宁;  郭德博;  刘广义;  马龙;  王良臣;  李晋闽
Adobe PDF(506Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1330/463  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭德博;  梁萌;  范曼宁;  师宏伟;  刘志强;  王国宏;  王良臣
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A silicon capacitive microphone based on oxidized porous silicon sacrificial technology 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Ning, J;  Liu, ZL;  Liu, HZ;  Ge, YC;  Ning, J, Chinese Acad Sci, Microelect R&D Ctr, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Silicon Capacitive Microphone  Oxidized Porous Silicon  Sacrificial Layer  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王海嵩;  杜国同;  许成栋;  宋俊峰;  唐君;  陈弘达;  刘宇;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  仇志军;  桂永胜;  崔利杰;  曾一平;  黄志明;  疏小舟;  戴宁;  郭少令;  禇君浩
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Electronic characteristics of InAs self-assembled quantum dots 会议论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 7 (3-4), FUKUOKA, JAPAN, JUL 12-16, 1999
作者:  Wang HL;  Feng SL;  Zhu HJ;  Ning D;  Chen F;  Wang HL Qufu Normal Univ Dept Phys Qufu 273165 Peoples R China.
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Inas/gaas Quantum Dots  Self-assembled Structure  Dlts  Pl  Band Offset  Energy-levels  Carrier Relaxation  Spectroscopy  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang HL;  Ning D;  Zhu HJ;  Chen F;  Wang H;  Wang XD;  Feng SL;  Wang HL,Chinese Acad Sci,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Inst Semicond,POB 912,Beijing,Peoples R China.
Adobe PDF(161Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1032/348  |  提交时间：2010/08/12