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基于量子限制Stark 效应的Ge/SiGe量子阱电吸收调制器的设计与研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  赵红卫
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao HW;  Hu WX;  Xue CL;  Cheng BW;  Wang QM;  Zhao, HW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. hwzhao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao L;  Zuo YH;  Zhou CL;  Li HL;  Diao HW;  Wang WJ;  Zhao, L, Chinese Acad Sci, Inst Elect Engn, Key Lab Solar Thermal Energy & Photovolta Syst, Beijing 100190, Peoples R China. zhaolei@mail.iee.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao L;  Zuo YH;  Zhou CL;  Li HL;  Diao HW;  Wang WJ;  Zhao, L, Chinese Acad Sci, Solar Cell Technol Grp, Key Lab Solar Thermal Energy & Photovolta Syst, Inst Elect Engn, 6 Beiertiao Zhongguancun, Beijing 100190, Peoples R China. E-mail Address: zhaolei@mail.iee.ac.cn
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亚微米波导型Ge量子阱电光调制器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  赵红卫;  胡炜玄;  成步文;  王启明
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