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折射面入光探测器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-23, 2010-08-12
Inventors:  廖栽宜;  张云霄;  周 帆;  赵玲娟;  王 圩
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MOCVD生长掺杂半导体材料的低温退火方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  韦欣
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原位非接触探测MOCVD石墨温度分布的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  刘祥林;  赵凤瑷;  焦春美
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一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157652.8, 公开日期: 2011-08-30
Inventors:  胡理科;  熊聪;  祁琼;  王冠;  马骁宇;  刘素平
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一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  纪攀峰;  李京波;  闫建昌;  刘乃鑫;  刘喆;  王军喜;  李晋闽
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采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201505.6, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130230A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
Inventors:  孙莉莉;  闫建昌;  王军喜
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氮化镓生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224104.5, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  段瑞飞;  魏同波;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  郑高林;  杨安丽;  宋华平;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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生长氧化锌薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910079800.6, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  王振华;  刘祥林;  杨少延;  杨安丽
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