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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Bai AQ
;
Hu D
;
Ding WC
;
Su SJ
;
Hu WX
;
Xue CL
;
Fan ZC
;
Cheng BW
;
Yu YD
;
Wang QM
;
Cheng BW Chinese Acad Sci State Key Lab Integrated Optoelect Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: anqibai@semi.ac.cn
;
cbw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
白安琪
;
胡迪
;
丁武昌
;
苏少坚
;
胡炜玄
;
薛春来
;
樊中朝
;
成步文
;
俞育德
;
王启明
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
余金中
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提交时间:2010/11/23
The improvement of thick oxidized porous silicon layer growth process - art. no. 60290S
会议论文
ICO20 Materials and Nanostructures丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:
Li J
;
An JM
;
Wang HJ
;
Xia JL
;
Gao DS
;
Hu XW
;
Li, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Porous Silicon
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang Linlin
;
Guo Hengqun
;
Zeng Youhua
;
Wang Qiming
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
夏建白
;
谢国伟
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提交时间:2010/11/23
A silicon capacitive microphone based on oxidized porous silicon sacrificial technology
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Ning, J
;
Liu, ZL
;
Liu, HZ
;
Ge, YC
;
Ning, J, Chinese Acad Sci, Microelect R&D Ctr, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Silicon Capacitive Microphone
Oxidized Porous Silicon
Sacrificial Layer
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ning Jin
;
Liu Zhongli
;
Liu Huanzhang
;
Ge Yongcai
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提交时间:2010/11/23
The fabrication of thick SiO2 layer by anodization
会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Ou HY
;
Yang QQ
;
Lei HB
;
Wang QM
;
Hu XW
;
Ou HY Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Thick Sio2 Layer
Porous Silicon
Sio2/si Waveguide Device
Wave-guides
Silicon
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ou HY
;
Yang QQ
;
Lei HB
;
Wang QM
;
Hu XW
;
Ou HY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12