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4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者:  田丽欣
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锑化物高电子迁移率晶体管的材料与器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  李彦波
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, Guanghui;  Wang, Xuewen;  Ding, Haiyan;  Zhang, Ting
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng QW;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Yin HB;  Chen H;  Lin DF;  Jiang LJ;  Feng C;  Li JM;  Wang ZG;  Hou X;  Deng, QW (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, daven@semi.ac.cn
Adobe PDF(500Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1751/593  |  提交时间：2012/01/06
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng, QW;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Wang, CM;  Yin, HB;  Chen, H;  Lin, DF;  Li, JM;  Wang, ZG;  Hou, X;  Deng, QW (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China,daven@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng QW;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Yin HB;  Chen H;  Hou QF;  Lin DF;  Li JM;  Wang ZG;  Hou X;  Deng, QW (reprint author), Chinese Acad Sci, Ctr Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, daven@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao GH;  Li LS;  Guan M;  Zhao J;  Li YY;  Zeng YP;  Guan, M (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, guanmin@semi.ac.cn
Adobe PDF(563Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：992/368  |  提交时间：2012/01/06
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng QW;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Yin HB;  Chen H;  Hou QF;  Lin DF;  Li JM;  Wang ZG;  Hou X
Adobe PDF(623Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1526/491  |  提交时间：2011/07/07
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng QW;  Wang XL;  Yang CB;  Xiao HL;  Wang CM;  Yin HB;  Hou QF;  Li JM;  Wang ZG;  Hou X;  Deng, QW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. daven@semi.ac.cn
Adobe PDF(459Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2271/623  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hou QF;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Yang CB;  Yin HB;  Deng QW;  Li JM;  Wang ZG;  Hou X;  Hou, QF, Chinese Acad Sci, Ctr Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. qfhou@semi.ac.cn
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