| 4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究 | |
| 田丽欣 | |
| 学位类型 | 博士 |
| 导师 | 孙国胜 |
| 2016-11 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 公开日期 | 2016-12-05 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27665 |
| 专题 | 半导体材料科学中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田丽欣. 4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所,2016. |
| 条目包含的文件 | ||||||
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| 4H -SiC 基 SiO 2和 Al （3926KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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