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| 一种制作白光发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈振; 韩培德 ; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 朱勤生; 王占国
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| Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者: Chen Z; Chua SJ; Yuan HR; Liu XL; Lu DC; Han PD; Wang ZG; Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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Metalorganic Chemical Vapor Deposition Semiconducting Iii-v Materials Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures Carrier Confinement Effect Transistors Photoluminescence Mobility Heterojunction Interface Hfets |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Han XX; Chen Z; Li DB; Wu JJ; Li JM; Sun XH; Liu XL; Han PD; Wang XH; Zhu QS; Wang ZG; Han, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xxhan@red.semi.ac.cn
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| 一种单/多层异质量子点结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈振; 陆大成; 韩培德; 刘祥林; 王晓晖; 李昱峰; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen Z; Lu DC; Liu XL; Wang XH; Han PD; Wang D; Yuan HR; Wang ZG; Li GH; Fang ZL; Chen Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李昱峰; 韩培德; 陈振; 黎大兵; 王占国; 刘祥林; 陆大成; 王晓军; 汪度
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 严莉; 陈晓阳; 何世堂; 李红浪; 韩培德; 陈振; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 李昱峰; 袁海荣; 陆沅; 黎大兵; 朱勤生; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李昱峰; 韩培德; 陈振; 黎大兵; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王晓晖; 李昱峰; 陆大成; 刘祥林; 袁海荣; 陆沅; 黎大兵; 王秀凤; 朱勤生; 王占国; 陈振; 韩培德
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen Z; Lu DC; Wang XH; Liu XL; Yuan HR; Han PD; Wang D; Wang ZG; Li GH; Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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