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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者:徐波
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期刊论文
作者:
Zhou XL
;
Chen YH
;
Zhang HY
;
Zhou GY
;
Li TF
;
Liu JQ
;
Ye XL
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhouxl06@semi.ac.cn
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浏览/下载:1621/395
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou XL
;
Chen YH
;
Li TF
;
Zhou GY
;
Zhang HY
;
Ye XL
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhouxl06@semi.ac.cn
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浏览/下载:1431/281
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提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Tang CG
;
Chen YH
;
Xu B
;
Ye XL
;
Wang ZG
;
Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yhchen@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1581/437
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提交时间:2010/03/08
Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者:
Zhao C
;
Chen YH
;
Xu B
;
Tang CG
;
Wang ZG
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:2001/335
  |  
提交时间:2010/03/09
Molecular-beam Epitaxy
量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王志成
;
徐波
;
刘峰奇
;
陈涌海
;
王占国
;
石礼伟
;
梁凌燕
Adobe PDF(568Kb)
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浏览/下载:1762/222
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提交时间:2009/06/11
GaAs基半导体量子点激光器管芯质量的检测和分析方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
梁凌燕
;
叶小玲
;
徐波
;
陈涌海
;
王占国
Adobe PDF(750Kb)
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浏览/下载:1699/208
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提交时间:2009/06/11
砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵超
;
徐波
;
陈涌海
;
金鹏
;
王占国
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浏览/下载:1501/225
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang ZC
;
Chen YH
;
Xu B
;
Liu FQ
;
Shi LW
;
Tang CG
;
Wang ZG
;
Wang, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangzc@semi.ac.cn
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浏览/下载:1251/309
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang ZC
;
Xu B
;
Chen YH
;
Shi LW
;
Liang ZM
;
Wang ZG
;
Wang, ZG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangzc@semi.ac.cn
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浏览/下载:1161/232
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提交时间:2010/03/08
Evolution of wetting layers in InAs/GaAs quantum-dot system studied by reflectance difference spectroscopy
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Chen YH
;
Tang CH
;
Xu B
;
Jin P
;
Wang ZG
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(2531Kb)
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浏览/下载:1496/187
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提交时间:2010/03/09
Inas