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| 基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵永梅; 孙国胜; 刘兴昉; 李家业; 王雷; 赵万顺; 李晋闽; 曾一平 Adobe PDF(365Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1596/230  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉 Adobe PDF(685Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1408/186  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘兴昉; 孙国胜; 李晋闽; 赵永梅; 王雷; 赵万顺; 李家业; 曾一平 Adobe PDF(494Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1498/218  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉 Adobe PDF(730Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1341/167  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种碳化硅外延生长用加热器旋转装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 李家业; 赵永梅; 刘兴昉 Adobe PDF(682Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1193/158  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(1125Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1074/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 降低磷离子注入(0001)取向的4H-碳化硅电阻率的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 高欣; 孙国胜; 李晋闽; 王雷; 赵万顺 Adobe PDF(499Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1443/188  |  提交时间:2009/06/11 |
| 竖直式离子注入碳化硅高温退火装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2005-11-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺 Adobe PDF(787Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1030/129  |  提交时间:2009/06/11 |
| 湿法腐蚀两步法制备超薄柔性硅衬底的腐蚀工艺 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓峰; 曾一平; 孙国胜; 黄风义; 王雷; 赵万顺 Adobe PDF(537Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1371/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 水平式离子注入碳化硅高温退火装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺 Adobe PDF(705Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:858/110  |  提交时间:2009/06/11 |