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| 制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘喆; 王军喜; 钟兴儒; 李晋闽; 曾一平; 段瑞飞; 马平; 魏同波; 林郭强 Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1673/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 尹志冈; 杨霏 Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1408/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 冉军学; 李建平; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1350/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种基于混合集成的光子晶体滤波器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩培德; 陆晓东; 全宇军; 叶志成; 窦金锋 Adobe PDF(405Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1140/135  |  提交时间:2009/06/11 |
| 制备稀磁半导体Ga 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈晨龙; 陈诺夫; 吴金良 Adobe PDF(240Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1084/171  |  提交时间:2009/06/11 |
| 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 王翠梅; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(830Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1068/142  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 彭长涛; 陈诺夫; 吴金良; 陈晨龙 Adobe PDF(333Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1103/170  |  提交时间:2009/06/11 |
| 磁性半导体镓锰锑单晶热平衡生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈晨龙; 陈诺夫; 吴金良 Adobe PDF(328Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:919/129  |  提交时间:2009/06/11 |
| 背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马龙; 王良臣; 王立彬; 郭金霞; 伊晓燕 Adobe PDF(550Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1172/164  |  提交时间:2009/06/11 |
| 蓝光、黄光量子阱堆叠结构白光发光二极管及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郭伦春; 王晓亮; 王军喜; 肖红领; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(551Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1328/206  |  提交时间:2009/06/11 |