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| 非极性a-GAN的生长及相关物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者: 王建霞
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| InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010591575.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孔金霞; 徐波; 王占国
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| 制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人: 张恒; 魏鸿源; 杨少延; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 刘祥林; 王占国
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| 一种有多色响应的量子点红外探测器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人: 贾亚楠; 徐波; 孔金霞; 王占国
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| 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人: 王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国
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| 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人: 刘长波; 赵桂娟; 桑玲; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 一种蓝宝石纳米孔状图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
发明人: 王家鑫; 吴奎; 曾一平
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| GaN基LED网孔电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-03
发明人: 王家鑫; 吴奎; 曾一平
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| 一种测量LED内量子效率的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人: 魏学成; 赵丽霞; 张连; 于治国; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-30
发明人: 刘建明; 桑玲; 赵桂娟; 刘长波; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 杨少延; 王占国
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