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| 氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990 发明人: 王晓亮; 唐 健; 肖红领; 王翠梅; 冉学军; 胡国新; 李晋敏 Adobe PDF(486Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1570/220  |  提交时间:2010/03/19 |
| 倒装双结铟镓氮太阳能电池结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 杨翠柏; 肖红领; 胡国新; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李晋闽 Adobe PDF(676Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1583/220  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Guo LC; Wang XL; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Ma ZY; Luo WJ; Wang ZG; Guo LC Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lcguo@semi.ac.cn Adobe PDF(437Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2022/748  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhang ML; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Yang CB; Tang J; Feng C; Jiang LJ; Hu GX; Ran JX; Wang MG; Zhang ML Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: mlzhang@semi.ac.cn Adobe PDF(1085Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1139/347  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wang XL; Chen TS; Xiao HL; Tang J; Ran JX; Zhang ML; Feng C; Hou QF; Wei M; Jiang LJ; Li JM; Wang ZG; Wang XL Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xlwang@semi.ac.cn Adobe PDF(438Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1597/399  |  提交时间:2010/03/08 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Chen T; Hong T; Pan JQ; Chen WX; Cheng YB; Wang Y; Ma XB; Liu WL; Zhao LJ; Ran GZ; Wang W; Qin GG; Chen T Peking Univ State Key Lab Mesoscop Phys Beijing 100871 Peoples R China. E-mail Address: rangz@pku.edu.cn; qingg@pku.edu.cn Adobe PDF(571Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1316/409  |  提交时间:2010/03/08 |
| 单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 肖红领; 杨翠柏; 胡国新; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李建平; 李晋闽 Adobe PDF(676Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1608/246  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 肖红领; 胡国新; 杨翠柏; 冉学军; 王翠梅; 张小宾; 李建平; 李晋闽 Adobe PDF(480Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1560/200  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军 Adobe PDF(986Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1685/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军 Adobe PDF(1062Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1575/181  |  提交时间:2009/06/11 |